NVMFD5877NLT1G参数：MOSFET N-CH 60V 17A 8SOIC
类别：分立半导体产品-FET - 阵列标准包装：1,500系列：-包装：带卷 (TR)FET 类型：2 个 N 沟道（双）FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：60V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：6A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：39 毫欧 @ 7.5A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：20nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：540pF @ 25V功率 - 最大值：3.2W安装类型：表面贴装封装：8-PowerTDFN供应商器件封装：8-DFN（5x6）
