PHM12NQ20T,518参数：MOSFET N-CH 200V 14.4A 8HVSON
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：2,500系列：TrenchMOS™包装：带卷 (TR)FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：标准漏源极电压 (Vdss)：200V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：14.4A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：130 毫欧 @ 12A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：26nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1230pF @ 25V功率 - 最大值：62.5W安装类型：表面贴装封装：8-VDFN 裸露焊盘供应商器件封装：8-HVSON（6x5）
