PHM25NQ10T

PHM25NQ10T,518
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PHM25NQ10T,518参数：MOSFET N-CH 100V 30.7A 8HVSON

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：2,500
系列：TrenchMOS™
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：100V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：30.7A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：30 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：26.6nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1800pF @ 20V
功率 - 最大值：62.5W
安装类型：表面贴装
封装：8-VDFN 裸露焊盘
供应商器件封装：8-HVSON（6x5）