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RDN100N20

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RDN100N20
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RDN100N20参数：MOSFET N-CH 200V 10A TO-220FN

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品目录绘图： TO-220FM,TO-220FN
特色产品： ECOMOS?SeriesMOSFETs
标准包装：500
系列：-
包装：散装
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：200V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：10A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：360毫欧@5A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@1mA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：30nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：543pF@10V
功率-最大值：35W
安装类型：通孔
封装：TO-220-3整包
供应商器件封装：TO-220FN

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