RDN100N20参数：MOSFET N-CH 200V 10A TO-220FN
类别：分立半导体产品-FET - 单产品目录绘图： TO-220FM,TO-220FN特色产品： ECOMOS?SeriesMOSFETs标准包装：500系列：-包装：散装FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：200V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：10A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：360毫欧@5A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@1mA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：30nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：543pF@10V功率-最大值：35W安装类型：通孔封装：TO-220-3整包供应商器件封装：TO-220FN