RFD8P06E

RFD8P05
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RFD8P05参数：MOSFET P-CH 50V 8A I-PAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：75
系列：-
包装：管件
FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：50V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：8A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：300 毫欧 @ 8A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：80nC @ 20V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：-
功率 - 最大值：48W
安装类型：通孔
封装：TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
供应商器件封装：I-Pak