SGL50N60RUFTU参数:IGBT W/DIODE 100V TO-264
类别:分立半导体产品-IGBT - 单路标准包装:25系列:-包装:管件IGBT 类型:-电压 - 集射极击穿(最大值):600V不同?Vge、Ic 时的?Vce(on):2.8V @ 15V,50A电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80ACurrent - Collector Pulsed (Icm):150A功率 - 最大值:250WSwitching Energy:2.71mJ输入类型:标准Gate Charge:145nCTd (on/off) A 25°C:26ns/66nsTest Condition:300V, 50A, 5.9 欧姆, 15V反向恢复时间 (trr):-封装:TO-264-3,TO-264AA安装类型:通孔供应商器件封装:TO-264