SGL50N60RUFDTU参数：IGBT 80A 600V W/DIODE TO-264
类别：分立半导体产品-IGBT - 单路产品培训模块： HighVoltageSwitchesforPowerProcessing标准包装：25系列：-包装：管件IGBT类型：-电压-集射极击穿（最大值）：600V不同?Vge、Ic时的?Vce(on)：2.8V@15V，50A电流-集电极(Ic)（最大值）：80ACurrent-CollectorPulsed(Icm)：150A功率-最大值：250WSwitchingEnergy：2.71mJ输入类型：标准GateCharge：145nCTd(on/off)A25°C：26ns/66nsTestCondition：300V,50A,5.9欧姆,15V反向恢复时间(trr)：70ns封装：TO-264-3，TO-264AA安装类型：通孔供应商器件封装：TO-264