SGS10N60RUFDTU参数：IGBT W/DIODE 600V 10A TO-220F
类别：分立半导体产品-IGBT - 单路产品培训模块： HighVoltageSwitchesforPowerProcessing标准包装：50系列：-包装：管件IGBT类型：-电压-集射极击穿（最大值）：600V不同?Vge、Ic时的?Vce(on)：2.8V@15V，10A电流-集电极(Ic)（最大值）：16ACurrent-CollectorPulsed(Icm)：30A功率-最大值：55WSwitchingEnergy：356µJ输入类型：标准GateCharge：30nCTd(on/off)A25°C：15ns/36nsTestCondition：300V,10A,20欧姆,15V反向恢复时间(trr)：42ns封装：TO-220-3整包安装类型：通孔供应商器件封装：TO-220F