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SI3443DVTR

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SI3443DVTR
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SI3443DVTR参数：MOSFET P-CH 20V 4.4A 6-TSOP

类别：分立半导体产品-FET - 单
PCNObsolescence： Gen8Rev208/Jul/2011
标准包装：1
系列：HEXFET®
包装：剪切带(CT)
FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平栅极，2.5V驱动
漏源极电压(Vdss)：20V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：4.4A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：65毫欧@4.4A，4.5V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1.5V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：15nC@4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：1079pF@10V
功率-最大值：2W
安装类型：表面贴装
封装：6-LSOP（0.063"，1.60mm宽）
供应商器件封装：Micro6?（TSOP-6）

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