SI3443DVTR参数：MOSFET P-CH 20V 4.4A 6-TSOP
类别：分立半导体产品-FET - 单PCNObsolescence： Gen8Rev208/Jul/2011标准包装：1系列：HEXFET®包装：剪切带(CT)FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平栅极，2.5V驱动漏源极电压(Vdss)：20V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：4.4A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：65毫欧@4.4A，4.5V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1.5V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：15nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：1079pF@10V功率-最大值：2W安装类型：表面贴装封装：6-LSOP（0.063"，1.60mm宽）供应商器件封装：Micro6?（TSOP-6）
