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SI4436DY-T1

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SI4436DY-T1-E3 优势库存
VISHAY
SOP8
2023+
93350
全新原厂原装现货
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SI4436DY-T1-E3
Vishay Silicon..
8-SOIC
2023+
32247
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SI4436DY-T1-GE3
Vishay Silicon..
8-SOIC
2023+
30349
全新原装进口现货品质保证
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SI4436DY-T1-E3.
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61278
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SI4436DY-T1-E3
VISHAY
SOP-8
2023+
37557
原装现货价格优势
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SI4436DY-T1
VISHAY
SOP-8
2023+
145278
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SI4436DY-T1-E3
VISHAY
SOP-8
2023+
419172
品质保证,价格优惠
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SI4436DY-T1-GE3
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8-SOIC（3.9mm）
2023+
20000
品质保证,价格优惠
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8-SOIC(0.154..
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16899
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Vishay/Silicon..
8-SOIC(0.154..
2023+
13350
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9860
一级代理/全新现货/长期供..
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SO-8
2023+
2,500
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2023+
65000
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SI4436DY-T1-E3
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SI4436DY-T1-E3参数：MOSFET N-CH 60V 8A 8-SOIC

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：2,500
系列：TrenchFET®
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：60V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：8A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：36 毫欧 @ 4.6A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：32nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1100pF @ 30V
功率 - 最大值：5W
安装类型：表面贴装
封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：8-SOIC N

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