SIB417DK-T1-GE3参数：MOSFET P-CH 8V 9A SC75-6
类别：分立半导体产品-FET - 单特色产品： MOSFETsDesignedforOn-ResistanceRatingsat1.2V标准包装：3,000系列：-包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：8V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：9A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：52毫欧@5.6A，4.5V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：12.75nC@5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：675pF@4V功率-最大值：13W安装类型：表面贴装封装：PowerPAK?SC-75-6L供应商器件封装：PowerPAK?SC-75-6L单
