SIE800DF-T1-E3参数：MOSFET N-CH 30V 50A 10-POLARPAK
类别：分立半导体产品-FET - 单特色产品： VishaySiliconixPolarPAK?PowerMOSFETsWithDouble-SidedCooling标准包装：3,000系列：TrenchFET®包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：30V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：50A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：7.2毫欧@11A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：3V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：35nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：1600pF@15V功率-最大值：104W安装类型：表面贴装封装：10-PolarPAK?（S）供应商器件封装：10-PolarPAK?（S）