SIHG33N60E-GE3参数：MOSFET N-CH 600V 33A TO-247AC
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：500系列：E 系列包装：带卷 (TR)FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：标准漏源极电压 (Vdss)：600V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：33A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：99 毫欧 @ 16.5A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：150nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：3508pF @ 100V功率 - 最大值：278W安装类型：通孔封装：TO-247-3供应商器件封装：TO-247AC
