SIZ902DT-T1-GE3参数：MOSFET N-CH 30V DUAL D-S
类别：分立半导体产品-FET - 阵列特色产品： PowerPAIR?标准包装：3,000系列：TrenchFET®包装：带卷(TR)FET类型：2N沟道（双）非对称型FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：30V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：14.3A，16A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：12毫欧@13.8A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.2V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：21nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：790pF@15V功率-最大值：4.2W，5W安装类型：表面贴装封装：8-PowerWDFN供应商器件封装：8-PowerPair?
