SIZ916DT-T1-GE3参数：MOSFET N-CH 30V DS POWERPAIR 6X5
类别：分立半导体产品-FET - 阵列标准包装：3,000系列：TrenchFET?Gen IV包装：带卷 (TR)FET 类型：2 N 沟道（双）非对称型FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：30V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：16A，40A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：6.4 毫欧 @ 19A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.4V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：26nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1208pF @ 15V功率 - 最大值：22.7W， 100W安装类型：表面贴装封装：6-PowerPair?供应商器件封装：6-PowerPair?
