SPU08P06P参数：MOSFET P-CH 60V 8.83A TO-251
类别：分立半导体产品-FET - 单产品变化通告： ProductDiscontinuation15/Apr/2008标准包装：1,500系列：SIPMOS®包装：管件FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：60V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：8.83A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：300毫欧@6.2A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：13nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：420pF@25V功率-最大值：42W安装类型：通孔封装：TO-251-3长引线，IPak，TO-251AB供应商器件封装：P-TO251-3