SQ2360EES-T1-GE3参数：MOSFET N-CH 60V 4.4A TO236
类别：分立半导体产品-FET - 单特色产品： SQSeriesPowerMOSFETs标准包装：3,000系列：TrenchFET®包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：60V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：4.4A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：85毫欧@6A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.5V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：12nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：370pF@25V功率-最大值：3W安装类型：表面贴装封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3供应商器件封装：SOT-23-3（TO-236）