STB210

STB21N65M5
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STB21N65M5参数：MOSFET N-CH 650V 17A D2PAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
其它有关文件： STB21N65M5ViewAllSpecifications
产品培训模块： 5thGenerationHighVoltageMosfetTechnology
标准包装：1,000
系列：MDmesh™
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：650V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：17A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：190毫欧@8.5A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：5V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：50nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：1950pF@100V
功率-最大值：125W
安装类型：表面贴装
封装：TO-263-3，D²Pak（2引线+接片），TO-263AB
供应商器件封装：D2PAK