STB4N62K3参数：MOSFET N-CH 620V 3.8A D2PAK
类别：分立半导体产品-FET - 单其它有关文件： STB4N62K3ViewAllSpecifications标准包装：1,000系列：SuperMESH3™包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：620V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：3.8A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：1.95欧姆@1.9A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4.5V@50µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：14nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：450pF@50V功率-最大值：70W安装类型：表面贴装封装：TO-263-3，D²Pak（2引线+接片），TO-263AB供应商器件封装：D2PAK
