STB55NF06LT4参数：MOSFET N-CH 60V 55A D2PAK
类别：分立半导体产品-FET - 单其它有关文件： STB55NF06LViewAllSpecifications标准包装：1,000系列：STripFET™包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：60V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：55A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：18毫欧@27.5A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4.7V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：37nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：1700pF@25V功率-最大值：95W安装类型：表面贴装封装：TO-263-3，D²Pak（2引线+接片），TO-263AB供应商器件封装：D2PAK
