STD1NB80T4

STD1NK60-1
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STD1NK60-1参数：MOSFET N-CH 600V 1A IPAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
ReferenceDesignLibrary： STEVAL-ISB001V1:1CellChargerusingDiscretes
标准包装：75
系列：SuperMESH™
包装：管件
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：600V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：1A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：8.5欧姆@500mA，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：3.7V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：10nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：156pF@25V
功率-最大值：30W
安装类型：通孔
封装：TO-251-3长引线，IPak，TO-251AB
供应商器件封装：I-Pak