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STD1NK60T4

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相关型号： STD1NK60-1 STD1HNC60T4 STD1HN60K3 STD18NF25 STD18NF03L STD18N65M5

STD1NK60T4
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STD1NK60T4参数：MOSFET N-CH 600V 1A DPAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
其它有关文件： STD1NK60ViewAllSpecifications
ReferenceDesignLibrary： STEVAL-ISB001V1:1CellChargerusingDiscretes
标准包装：2,500
系列：SuperMESH™
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：600V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：1A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：8.5欧姆@500mA，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：3.7V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：10nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：156pF@25V
功率-最大值：30W
安装类型：表面贴装
封装：TO-252-3，DPak（2引线+接片），SC-63
供应商器件封装：D-Pak

STD1NK60T4

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