STGD3NB60HDT4参数:IGBT 600V 10A 50W DPAK
类别:分立半导体产品-IGBT - 单路标准包装:2,500系列:PowerMESH™包装:带卷 (TR)IGBT 类型:-电压 - 集射极击穿(最大值):600V不同?Vge、Ic 时的?Vce(on):2.8V @ 15V,3A电流 - 集电极 (Ic)(最大值):10ACurrent - Collector Pulsed (Icm):24A功率 - 最大值:50WSwitching Energy:100µJ输入类型:标准Gate Charge:21nCTd (on/off) A 25°C:5ns/53nsTest Condition:480V, 3A, 10 欧姆, 15V反向恢复时间 (trr):95ns封装:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63安装类型:表面贴装供应商器件封装:D-Pak