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STGD3NB60SDT4

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STGD3NB60SDT4
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STGD3NB60SDT4参数：IGBT N-CHAN 6A 600V DPAK

类别：分立半导体产品-IGBT - 单路
其它有关文件： STGD3NB60SDViewAllSpecifications
标准包装：2,500
系列：PowerMESH™
包装：带卷(TR)
IGBT类型：-
电压-集射极击穿（最大值）：600V
不同?Vge、Ic时的?Vce(on)：1.5V@15V，3A
电流-集电极(Ic)（最大值）：6A
Current-CollectorPulsed(Icm)：25A
功率-最大值：48W
SwitchingEnergy：1.15mJ
输入类型：标准
GateCharge：18nC
Td(on/off)A25°C：125µs/3.4µs
TestCondition：480V,3A,1千欧,15V
反向恢复时间(trr)：1700ns
封装：TO-252-3，DPak（2引线+接片），SC-63
安装类型：表面贴装
供应商器件封装：D-Pak
配用：497-8214-ND-35WELECTRONICBALLASTFORHIDL

STGD3NB60SDT4

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