STGD7NB120ST4参数:IGBT N-CH 1200V 7A DPAK
类别:分立半导体产品-IGBT - 单路标准包装:2,500系列:PowerMESH™包装:带卷 (TR)IGBT 类型:-电压 - 集射极击穿(最大值):1200V不同?Vge、Ic 时的?Vce(on):2.1V @ 15V,7A电流 - 集电极 (Ic)(最大值):10ACurrent - Collector Pulsed (Icm):20A功率 - 最大值:55WSwitching Energy:3.2mJ (开), 15mJ (关)输入类型:标准Gate Charge:29ncTd (on/off) A 25°C:570ns/-Test Condition:960V, 7A, 1 千欧, 15V反向恢复时间 (trr):-封装:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63安装类型:表面贴装供应商器件封装:D-Pak