STL100N1VH5参数：MOSFET N-CH 12V 100A POWERFLAT56
类别：分立半导体产品-FET - 单其它有关文件： STL100N1VH5ViewAllSpecifications标准包装：3,000系列：STripFET™包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：12V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：100A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：3毫欧@12.5A，4.5V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：500mV@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：26.5nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：2085pF@10V功率-最大值：60W安装类型：表面贴装封装：8-PowerVDFN供应商器件封装：PowerFlat?（5x6）
