STL100N6LF6参数：MOSFET N CH 60V 100A PWRFLAT 5X6
类别：分立半导体产品-FET - 单其它有关文件： STL100N6LF6ViewAllSpecifications标准包装：3,000系列：STripFET™DeepGATE™包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：60V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：100A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：4.5毫欧@11A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.5V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：130nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：8900pF@25V功率-最大值：80W安装类型：表面贴装封装：8-PowerVDFN供应商器件封装：PowerFlat?（5x6）
