STL120N2VH5参数：MOSFET N-CH 20V 120A POWERFLAT56
类别：分立半导体产品-FET - 单其它有关文件： STL120N2VH5ViewAllSpecifications标准包装：3,000系列：STripFET™V包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平栅极，2.5V驱动漏源极电压(Vdss)：20V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：120A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：3毫欧@14A，4.5V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：700mV@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：29nC@2.5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：4660pF@15V功率-最大值：80W安装类型：表面贴装封装：8-PowerVDFN供应商器件封装：PowerFlat?（5x6）
