STL10DN15F3参数：MOSFET 2N-CH 150V 10A POWERFLAT
类别：分立半导体产品-FET - 阵列其它有关文件： STL10DN15F3ViewAllSpecifications标准包装：3,000系列：StripFET;III,PowerFLAT;5x6包装：带卷(TR)FET类型：2个N沟道（双）FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：150V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：10A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：220mOhm@1.4A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：9.5nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：330pF@25V功率-最大值：50W安装类型：表面贴装封装：8-PowerVDFN供应商器件封装：PowerFlat?（5x6）