STL10N3LLH5参数：MOSFET N-CH 30V 9A POWERFLAT
类别：分立半导体产品-FET - 单其它有关文件： STL10N3LLH5ViewAllSpecifications标准包装：3,000系列：STripFET™V包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：30V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：9A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：19毫欧@4.5A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.5V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：6nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：900pF@25V功率-最大值：2W安装类型：表面贴装封装：8-PowerVDFN供应商器件封装：PowerFlat?（3.3x3.3）
