STN1NF10参数：MOSFET N-CH 100V 1A SOT-223
类别：分立半导体产品-FET - 单其它有关文件： STN1NF10ViewAllSpecifications标准包装：4,000系列：STripFET™包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：100V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：1A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：800毫欧@500mA，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：6nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：105pF@25V功率-最大值：2.5W安装类型：表面贴装封装：TO-261-4，TO-261AA供应商器件封装：SOT-223
