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STP11NM80

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STP11NM80 优势库存
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TO-220
2023+
2944
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STMicroelectro..
TO-220
2023+
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TO-220
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22557
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TO-220-3()
2023+
976
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TO-220-3
2023+
1250
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STP11NM80
STM
TO-220AB
2023+
4,000
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库房现货原装进口
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5600
相关型号： STP11NM65N STP11NM60ND STP11NM60N STP11NM60FP STP11NM60FDFP STP11NM60FD

STP11NM80
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STP11NM80参数：MOSFET N-CH 800V 11A TO-220

类别：分立半导体产品-FET - 单
其它有关文件： STP11NM80ViewAllSpecifications
标准包装：50
系列：MDmesh™
包装：管件
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：800V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：11A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：400毫欧@5.5A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：5V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：43.6nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：1630pF@25V
功率-最大值：150W
安装类型：通孔
封装：TO-220-3
供应商器件封装：TO-220AB

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