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STP12PF06

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相关型号： STP12NM60N STP12NM50N STP12NM50FP STP12NM50FD STP12NM50 STP12NK80Z

STP12PF06
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STP12PF06参数：MOSFET P-CH 60V 12A TO-220

类别：分立半导体产品-FET - 单
其它有关文件： STP12PF06ViewAllSpecifications
标准包装：50
系列：STripFET™
包装：管件
FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：60V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：12A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：200毫欧@10A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：21nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：850pF@25V
功率-最大值：60W
安装类型：通孔
封装：TO-220-3
供应商器件封装：TO-220AB

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