STP1N105K3参数：MOSFET N CH 1050V 1.4A TO-220
类别：分立半导体产品-FET - 单其它有关文件： STP1N105K3ViewAllSpecifications标准包装：50系列：SuperMESH3™包装：管件FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：1050V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：1.4A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：11欧姆@600mA,10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4.5V@50µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：13nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：180pF@100V功率-最大值：60W安装类型：通孔封装：TO-220-3供应商器件封装：TO-220
