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STP25NM60

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STP25NM60N 优势库存
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TO-220
2023+
1018
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STP25NM60N
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TO-220
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TO-220
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6000
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2023+
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TO-220-3
2023+
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STP25NM60W
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TO-220
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STP25NM60FD
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2023+
18,000
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相关型号： STP25NM50N STP25N80K5 STP24NM65N STP24NM60N STP24NF10 STP24N60M2

STP25NM60N
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STP25NM60N参数：MOSFET N-CH 600V 21A TO-220

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：50
系列：MDmesh™
包装：管件
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：600V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：21A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：160 毫欧 @ 10.5A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：84nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：2400pF @ 50V
功率 - 最大值：160W
安装类型：通孔
封装：TO-220-3
供应商器件封装：TO-220AB

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