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STP2NK100Z

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STP2NK100Z
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STP2NK100Z参数：MOSFET N-CH 1000V 1.85A TO-220

类别：分立半导体产品-FET - 单
其它有关文件： STP2NK100ZViewAllSpecifications
标准包装：50
系列：SuperMESH™
包装：管件
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：1000V（1kV）
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：1.85A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：8.5欧姆@900mA，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4.5V@50µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：16nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：499pF@25V
功率-最大值：70W
安装类型：通孔
封装：TO-220-3
供应商器件封装：TO-220AB

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