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STP34NM60N

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相关型号： STP34N65M5 STP32NM50N STP32N65M5 STP31N65M5 STP310N10F7 STP30NM60ND

STP34NM60N
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STP34NM60N参数：MOSFET N-CH 600V 29A TO-220

类别：分立半导体产品-FET - 单
其它有关文件： STP34NM60NViewAllSpecifications
标准包装：50
系列：MDmesh™
包装：管件
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：600V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：29A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：105毫欧@14.5A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：80nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：2722pF@100V
功率-最大值：210W
安装类型：通孔
封装：TO-220-3成形引线
供应商器件封装：TO-220-3

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