STP4NK60Z参数：MOSFET N-CH 600V 4A TO-220
类别：分立半导体产品-FET - 单其它有关文件： STP4NK60ZViewAllSpecifications标准包装：50系列：SuperMESH™包装：管件FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：600V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：4A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：2欧姆@2A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4.5V@50µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：26nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：510pF@25V功率-最大值：70W安装类型：通孔封装：TO-220-3供应商器件封装：TO-220AB工具箱：497-8004-KIT-ND-KITMOSFETTHRUHOLE9VAL5EA