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STQ1NK60ZR

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相关型号： STQ1NC45R-AP STQ1HNK60R-AP STQ1HN60K3-AP STPSC8H065G-TR STPSC8H065D STPSC8H065B-TR

STQ1NK60ZR-AP
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STQ1NK60ZR-AP参数：MOSFET N-CH 600V 0.3A TO-92

类别：分立半导体产品-FET - 单
其它有关文件： STQ1NK60ZRViewAllSpecifications
标准包装：2,000
系列：SuperMESH™
包装：带盒（TB）
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：600V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：300mA
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：15欧姆@400mA，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4.5V@50µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：6.9nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：94pF@25V
功率-最大值：3W
安装类型：通孔
封装：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线
供应商器件封装：TO-92

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