STQ2HNK60ZR-AP参数：MOSFET N-CH 600V 0.5A TO-92
类别：分立半导体产品-FET - 单其它有关文件： STQ2HNK60ZR-APViewAllSpecifications标准包装：2,000系列：SuperMESH™包装：带盒（TB）FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：600V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：500mA不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：4.8欧姆@1A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4.5V@50µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：15nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：280pF@25V功率-最大值：3W安装类型：通孔封装：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线供应商器件封装：TO-92
