STU7N80K5参数：MOSFET N CH 800V 6A IPAK
类别：分立半导体产品-FET - 单其它有关文件： STU7N80K5ViewAllSpecifications标准包装：75系列：SuperMESH5™包装：管件FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：800V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：6A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：1.2欧姆@3A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：5V@100µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：13.4nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：360pF@100V功率-最大值：110W安装类型：通孔封装：TO-251-3长引线，IPak，TO-251AB供应商器件封装：TO-251
