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AON5802

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AON5802A 优势库存
AOS
TSSOP-6
2023+
23352
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AON5802 优势库存
AO
DFN2X5
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2999
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AON5802A
AlphaOmegaSemi..
6-SMD,
2023+
1250
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AON5802BL
Alpha & Omega ..
6-DFN-EP（2x5）
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AON5802B_101
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AON5802B
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6-DFN-EP（2x5）
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AON5802AL
ALPHA
SMD
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AON5802A
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DFN2X5
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AON5802
ALPHA
DFN2X2
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AON5802B
AOS万代
DFN2x5
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AON5802B
AOS
6-DFN-EP（2x5）
2023+
26000
FET - 阵列
AON5802A
AOS
6-DFN-EP（2x5）
2023+
26000
FET - 阵列
AON5802A
AOS
2023+
2536
￥6现货库存
相关型号： AON4807 AON4803 AON4703 AON4605 AON4421 AON4420

AON5802A
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AON5802A参数：MOSFET DUAL N-CH 30V 7.2A 6-DFN

类别：分立半导体产品-FET - 阵列
其它图纸： AON5802A6-DFNTop AON5802A6-DFNSide AON5802A6-DFNBottom
标准包装：5,000
系列：-
包装：带卷(TR)
FET类型：2个N沟道（双）
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：30V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：7.2A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：20毫欧@7.2A，4.5V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1.5V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：10.7nC@4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：1115pF@15V
功率-最大值：1.7W
安装类型：表面贴装
封装：6-SMD，扁平引线裸焊盘
供应商器件封装：6-DFN-EP（2x5）

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