AOP605参数:MOSFET N/P-CH COMPL 30V 8-PDIP
类别:分立半导体产品-FET - 阵列其它图纸: AOP6xxSeries8-PDIPEnd AOP6xxSeries8-PDIPSide标准包装:50系列:-包装:管件FET类型:N和P沟道FET功能:逻辑电平门漏源极电压(Vdss):30V电流-连续漏极(Id)(25°C时):7.5A,6.6A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):28毫欧@7.5A,10V不同Id时的Vgs(th)(最大值):3V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):16.6nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss):820pF@15V功率-最大值:2.5W安装类型:通孔封装:8-DIP(0.300",7.62mm)供应商器件封装:8-PDIP