CSD16321Q5参数:MOSFET N-CH 25V 100A 8-SON
类别:分立半导体产品-FET - 单产品培训模块: NexFETMOSFETTechnology视频文件: NexFETPowerBlock PowerStack?PackagingTechnologyOverview设计资源: CreateyourpowerdesignnowwithTI’sWEBENCH?Designer标准包装:2,500系列:NexFET™包装:带卷(TR)FET类型:MOSFETN通道,金属氧化物FET功能:逻辑电平门漏源极电压(Vdss):25V电流-连续漏极(Id)(25°C时):100A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):2.4毫欧@25A,8V不同Id时的Vgs(th)(最大值):1.4V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):19nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss):3100pF@12.5V功率-最大值:3.1W安装类型:表面贴装封装:8-TDFN裸露焊盘供应商器件封装:8-SON