DMN66D0LDW-7-F

DMN66D0LDW-7
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DMN66D0LDW-7参数：MOSFET N-CH DUAL 115MA SOT-363

类别：分立半导体产品-FET - 阵列
其它图纸： SOT-363PackageTop SOT-363PackageSide1 SOT-363PackageSide2
PCNDesign/Specification： BondWire23/May/2008 BondWire11/Nov/2011
PCNOther： MultipleDeviceChanges29/Apr/2013
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷(TR)
FET类型：2个N沟道（双）
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：60V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：115mA
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：6欧姆@115mA，5V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：-
不同Vds时的输入电容(Ciss)：23pF@25V
功率-最大值：250mW
安装类型：表面贴装
封装：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装：SOT-363