DMN65D8LW-7参数:MOSFET N CH 60V 300MA SOT323
类别:分立半导体产品-FET - 单PCNOther: MultipleDeviceChanges29/Apr/2013标准包装:3,000系列:-包装:带卷(TR)FET类型:MOSFETN通道,金属氧化物FET功能:逻辑电平门漏源极电压(Vdss):60V电流-连续漏极(Id)(25°C时):300mA不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):3欧姆@115mA,10V不同Id时的Vgs(th)(最大值):2V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):0.87nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss):22pF@25V功率-最大值:350mW安装类型:表面贴装封装:SC-70,SOT-323供应商器件封装:SOT-323