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DMN66D0LDW

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DMN66D0LDW-7 优势库存
DIODES
SOT-363
2023+
72352
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DMN66D0LDW-7
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6-TSSOP,SC-8..
2023+
1250
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DMN66D0LDW-7
Diodes Incorpo..
SOT-363
2023+
500
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DMN66D0LDWQ-7
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SOT-363
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DMN66D0LDWQ-13
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500
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DMN66D0LDW
DiodesInc
SC-70-6，SC-8..
2023+
9000
品质保证,价格优惠
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DMN66D0LDW-7
DIODES
SOT-363
2023+
80278
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DMN66D0LDW-7-F
DIODES
SOT-363
2023+
7278
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DMN66D0LDW-7
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SC70-6
2023+
9860
一级代理/全新现货/长期供..
相关型号： DMN65D8LW-7 DMN65D8LFB-7B DMN65D8LDW-7 DMN65D8L-7 DMN63D8LV-7 DMN63D8LDW-7

DMN66D0LDW-7
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DMN66D0LDW-7参数：MOSFET N-CH DUAL 115MA SOT-363

类别：分立半导体产品-FET - 阵列
其它图纸： SOT-363PackageTop SOT-363PackageSide1 SOT-363PackageSide2
PCNDesign/Specification： BondWire23/May/2008 BondWire11/Nov/2011
PCNOther： MultipleDeviceChanges29/Apr/2013
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷(TR)
FET类型：2个N沟道（双）
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：60V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：115mA
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：6欧姆@115mA，5V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：-
不同Vds时的输入电容(Ciss)：23pF@25V
功率-最大值：250mW
安装类型：表面贴装
封装：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装：SOT-363

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