DMP2104LP-7参数：MOSFET P-CH 20V 1.5A 3-DFN
类别：分立半导体产品-FET - 单其它图纸： DFN1411-3Side DFN1411-3BottomPCNDesign/Specification： BondWire11/Nov/2011标准包装：3,000系列：-包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：20V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：1.5A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：150毫欧@950mA，4.5V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：-不同Vds时的输入电容(Ciss)：320pF@16V功率-最大值：500mW安装类型：表面贴装封装：3-XDFN供应商器件封装：DFN1411-3
